主要用于制備族化合物半導(dǎo)體,高純合金,電子致冷元件,熱電轉(zhuǎn)換元件以及原子反應(yīng)堆中液態(tài)冷卻載體等。
鉍(Bi) Bismuth
技術(shù)對(duì)接: 電解–區(qū)域熔煉
檢驗(yàn):ICP-MS;激光粒度分析儀,掃描電鏡。
服務(wù):提供實(shí)用的防護(hù)措施,提供材料應(yīng)用解決方案。
4、用途:
主要用于制備族化合物半導(dǎo)體,高純合金,電子致冷元件,熱電轉(zhuǎn)換元件以及原子反應(yīng)堆中液態(tài)冷卻載體等。
5、包裝:滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝。
1、物理性質(zhì):
原子量:208.98040
電負(fù)性:1.9
密度:9.78 g/cm3
熔點(diǎn):271.50 ℃
沸點(diǎn):1564 ℃
2、規(guī)格:
化學(xué)純度:
高純鉍:Bi-05 純度99.999%以上,銀,鋁,砷,金,鎘,鉻,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,錫,鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm;
超純鉍:Bi-06 純度99.9999%以上,銀,鋁,砷,金,鎘,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,鋅雜質(zhì)總含量小于1ppm。
3、物理性狀:錠,粉,丸,粒,針狀等。