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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

    磷化銦

    化學(xué)式:InP

    純度:99.999%,99.9999%




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    產(chǎn)品概述

    磷化銦

    化學(xué)式:InP

    純度:99.999%,99.9999%



    技術(shù)參數(shù)

    應(yīng)用:磷化銦是第二代半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于光通信、集成電路等領(lǐng)域。5G 時(shí)代技術(shù)革 新帶來(lái)以磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料的蓬勃發(fā)展。磷化銦(InP)是一種 III~V 族化合物,閃鋅礦型 晶體結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為 5.87×10-10 m,禁帶寬度為 1.34 eV,常溫下遷移率為 3000~4500 cm2 /(V.S)。InP 晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率 高等諸多優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽(yáng) 電池等領(lǐng)域。未來(lái)組件需求將以高速、高頻與高功率等特性,鏈接 5G 通訊、車(chē)用電子與 光通訊領(lǐng)域的應(yīng)用,第二、三代化合物半導(dǎo)體有望突破硅半導(dǎo)體摩爾定律。

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